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　　关于igbt绝缘栅双极型晶体管的工作特姓，要是黄老爷子真得能答出来，付新可真要保住黄老爷子大喊同行了！

　　不说别的，mos栅功率开关器件作为igbt概念的先驱即被介绍到世间，也才过去两年，也就是一九七九年，igbt概念的先驱mos栅功率开关器件才问世。.

　　另外，在付新的上辈子，到死也没有见到我国真正拥有完全自主的igbt“中国芯”，因为完全自主igbt“中国芯”是到2013年9月12曰我国自主研发的高压大功率绝缘栅双极型晶体管芯片及由此芯片封装的大功率1200a/模块通过了专家鉴定才问世的，这时候，付新已经穿越。

　　很可惜，黄老爷子不是付新的同行，他连igbt这个英文缩写词都没听过，对于付新的问题，他根本答不上一句来，“呃……”黄老爷子的脸色涨的通红。

　　不过黄老爷子这种纯粹的研究人员，最重要的，是他们对新知识的渴求，所以没过一会儿，黄老爷子就不耻下问地朝付新问道：“付同志，我为我之前对你的偏见道歉，你能给我讲一讲这个ig什么bt吗？”

　　“是igbt，英文全称insulatedgatebipolartransistor，中文名叫做绝缘栅双极型晶体管。”付新纠正道。

　　然后付新继续说道：“它是由bjt和mos组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件兼有mosfet……的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点。

　　gtr饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；mosfet驱动功率很小，开关速度，但导通压降大，载流密度小。

　　igbt综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

　　前年，也就是一九七九年，mos栅功率开关器件作为igbt概念的先驱才被介绍到世间。是它开启了人类对igbt绝缘栅双极型晶体管的研究，其他的，我就不太清楚了，我也是在国外的一本科学杂志上面看到的。”付新不敢说太多了，说太多了，就惊世骇俗了。

　　其实付新说到“兼有mosfet”时就意识到了自己犯了一个严重的错误，那就是暴露了超前的知识，不过说都说到了这个地步，那只能硬着头皮上了，完整的解释了一下igbt绝缘栅双极型晶体管的概念，然后只能期待眼前这些人不懂，过后就把这件事忘掉。

　　“非常适

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